Chinese Physics Letters. 2004;21(9):1825-1827. doi: 10.1088/0256-307X/21/9/042 Q14.22025
GaN Growth with Low-Temperature GaN Buffer Layers Directly on Si(111) by Hydride Vapour Phase Epitaxy
DOI: 10.1088/0256-307X/21/9/042
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Chinese Physics Letters. 2004;21(9):1825-1827. doi: 10.1088/0256-307X/21/9/042 Q14.22025
DOI: 10.1088/0256-307X/21/9/042
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