Chinese Physics Letters. 2014;31(2):028101-. doi: 10.1088/0256-307X/31/2/028101 Q14.22025

GaN Films Grown on Si (111) Substrates Using a Composite Buffer with Low Temperature AlN Interlayer

采用低温AlN中间层的复合缓冲层在Si (111)衬底上生长的GaN薄膜

Fang, Yu-Tao; Jiang, Yang; Deng, Zhen; Zuo, Peng; Chen, Hong

DOI: 10.1088/0256-307X/31/2/028101

期刊名：Chinese physics letters

缩写：CHINESE PHYS LETT

ISSN：0256-307X

e-ISSN：1741-3540

IF/分区：4.2/Q1

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