Chinese Physics Letters. 2007;24(3):781-783. doi: 10.1088/0256-307X/24/3/053 Q14.22025

Nitrogen and Silicon Co-Doping of Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ Thin Films for Improving Phase Change Memory Performance

锗锑碲五元薄膜中氮与硅共掺杂以提升相变存储器性能

Yan-Fei, Cai; Peng, Zhou; Yin-Yin, Lin; Ting-Ao, Tang; Liang-Yao, Chen; Jing, Li; Bao-Wei, Qiao; Yun-Feng, Lai; Jie, Feng; Bing-Chu, Cai; Bomy, Chen

DOI: 10.1088/0256-307X/24/3/053

摘要

期刊名：Chinese physics letters

缩写：CHINESE PHYS LETT

ISSN：0256-307X

e-ISSN：1741-3540

IF/分区：4.2/Q1

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