IET Microwaves, Antennas & Propagation. 2012;6(11):1286-1290. doi: 10.1049/iet-map.2011.0274 Q41.32025

2.1 dB noise figure 5.2 GHz CMOS low noise amplifier using wafer-level integrated passive device technology with a DC power consumption of 10 mW

2.1 dB噪声系数5.2 GHz CMOS低噪声放大器，采用晶片级集成无源器件技术，直流功耗为10 mW

Chiou, H.-K.; Juang, Y.-Z.; Chang, D.-C.; Lin, K.-C.

DOI: 10.1049/iet-map.2011.0274

摘要

期刊名：Iet microwaves antennas & propagation

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ISSN：1751-8725

e-ISSN：1751-8733

IF/分区：1.3/Q4

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