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Ieee transactions on reliability. 1989;38(4):485-493. doi: 10.1109/24.46470 Q15.72025

A practical end-of-life model for semiconductor devices

Ash, M.S.; Gorton, H.C.

DOI: 10.1109/24.46470

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期刊名:Ieee transactions on reliability

缩写:IEEE T RELIAB

ISSN:0018-9529

e-ISSN:1558-1721

IF/分区:5.7/Q1

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