Quality and reliability engineering international. 1988;4(3):255-268. doi: 10.1002/qre.4680040309 Q22.82025

Subsurface burnout mechanisms in gallium arsenide (GAAS) electronic devices

W. T. Anderson; D. V. Morgan; F. A. Buot; A. Christou

DOI: 10.1002/qre.4680040309

摘要

期刊名：Quality and reliability engineering international

缩写：QUAL RELIAB ENG INT

ISSN：0748-8017

e-ISSN：1099-1638

IF/分区：2.8/Q2

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