Journal of materials science-materials in electronics. 2003;14(5-7):341-344. doi: 10.1023/a:1023984214647 Q23.22025

Infrared absorption of a-SiC : H as a function of the annealing temperature

a-SiC:H的红外吸收随退火温度的变化

R. Murri; N. Pinto; S. Giuliodori; G. Ambrosone; U. Coscia

DOI: 10.1023/a:1023984214647

期刊名：Journal of materials science-materials in electronics

缩写：J MATER SCI-MATER EL

ISSN：0957-4522

e-ISSN：1573-482X

IF/分区：3.2/Q2

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