Journal of materials science-materials in electronics. 2008;19(2):137-142. doi: 10.1007/s10854-007-9306-5 Q23.22025

In-situ optical reflectance and synchrotron X-ray topography study of defects in epitaxial dilute GaAsN on GaAs

外延生长于GaAs衬底上的稀释GaAsN中缺陷的原位光学反射率与同步辐射X射线形貌学研究

O. Reentilä; A. Lankinen; M. Mattila; A. Säynätjoki; T. O. Tuomi; H. Lipsanen; L. O’Reilly; P. J. McNally

DOI: 10.1007/s10854-007-9306-5

期刊名：Journal of materials science-materials in electronics

缩写：J MATER SCI-MATER EL

ISSN：0957-4522

e-ISSN：1573-482X

IF/分区：3.2/Q2

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