A physics-based model of DC and microwave characteristics of GaN/AlGaN HEMTs

Jonathan C. Sippel; Syed S. Islam; Sankha S. Mukherjee

DOI: 10.1002/mmce.20219

摘要

期刊名：International journal of rf and microwave computer-aided engineering

缩写：INT J RF MICROW C E

ISSN：1096-4290

e-ISSN：1099-047X

IF/分区：1.0/Q4

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