International journal of rf and microwave computer-aided engineering. 2006;16(1):70-80. doi: 10.1002/mmce.20132 Q41.02025

Fabrication and nonlinear characterization of GaN HEMTs on SiC and sapphire for high-power applications

V. Camarchia; S. Donati Guerrieri; M. Pirola; V. Teppati; A. Ferrero; G. Ghione; M. Peroni; P. Romanini; C. Lanzieri; S. Lavanga; A. Serino; E. Limiti; L. Mariucci

DOI: 10.1002/mmce.20132

摘要

期刊名：International journal of rf and microwave computer-aided engineering

缩写：INT J RF MICROW C E

ISSN：1096-4290

e-ISSN：1099-047X

IF/分区：1.0/Q4

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