Impact of probe-to-pad contact degradation on the high frequency characteristics of RF MOSFETs and guidelines to avoid it

E. P. Vandamme; D. Schreurs; C. van Dinther

DOI: 10.1002/mmce.1012

摘要

期刊名：International journal of rf and microwave computer-aided engineering

缩写：INT J RF MICROW C E

ISSN：1096-4290

e-ISSN：1099-047X

IF/分区：1.0/Q4

全文链接

官方链接

PMC全文

引文链接

复制

已复制！

格式：