Two-dimensional numerical simulation of short-gate-length gaAs MESFETs and application to the travelling gunn domain phenomenon

Samir El-Ghazaly; Tatsuo Itoh

DOI: 10.1002/jnm.1660010105

摘要

期刊名：International journal of numerical modelling-electronic networks devices and fields

缩写：INT J NUMER MODEL EL

ISSN：0894-3370

e-ISSN：1099-1204

IF/分区：1.7/Q2

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